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|---|---|---|---|---|
JANSF2N7433U | 抗辐射 MOSFET 这款 N 沟道 MOSFET JANSF2N7433U 具有抗辐射能力，额定电压为 200V，额定电流为 27A。它采用紧凑的 SMD-2 封装，提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，该 MOSFET 非常适合太空中的高性能电源开关应用。IRHNA7260 的 JANS 版本具有可选的总剂量额定值为 300kRads。 | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
SOP | IR | |||
DIP | Infineon / IR 上传：深圳市近平电子有限公司 | Infineon / IR | ||
SSOP | Microsemi | |||
DO-35 | MICROSEMI/美高森美 | MICROSEMI/美高森美 |
技术参数
- ID (@100°C) max：
27 A
- ID (@25°C) max：
43 A
- QG：
290 nC
- QPL Part Number：
2N7433U
- RDS (on)(@25°C) max：
70 mΩ
- TIDmax：
300 Krad(Si)
- VBRDSS：
200 V
- VFmax：
1.8 V
- Product Category：
Rad hard MOSFETS
- Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300 500
- Package：
SMD-2
- Polarity：
N
- Generation：
R4
- Voltage Class：
100 V
- Die Size：
6
- Qualification：
DLA
- Language：
SPICE
- Configuration：
Discrete
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更新时间2025-10-30 14:00:00
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