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JANSF2N7270U	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET JANSF2N7270U 是采用 SMD-1 封装的单个 500V、11A 抗辐射 N 沟道 MOSFET。其电气性能高达 300krad(Si) TID，并符合 QPL 标准。IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术用于空间应用中的高性能功率 MOSFET，可提供低 RDS(on) 和低栅极电荷。	Infineon 英飞凌	Infineon
JANSR2N7382	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	IR 国际整流器上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	IR
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	SSOP	MICROSEMI 美高森美上传：深圳市莱克讯科技有限公司	MICROSEMI
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	DO-35	MICROSEMI/美高森美上传：深圳市瑞祥辉半导体有限公司	MICROSEMI/美高森美
JANTX2N7225	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	IR 国际整流器上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	IR

技术参数

ID (@100°C) max：
7 A
ID (@25°C) max：
11 A
QG：
150 nC
QPL Part Number：
2N7270U
RDS (on)(@25°C) max：
450 mΩ
TIDmax：
300 Krad(Si)
VBRDSS：
500 V
VFmax：
1.6 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300 500
Package：
SMD-1
Polarity：
N
Generation：
R4
Voltage Class：
100 V
Die Size：
5
Qualification：
DLA
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

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