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JANS2N3019S

NPN Transistor

This 2N3019S NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications.  Microsemi also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

Microchip

微芯科技

JANS2N3019S

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391

文件:71.18 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANS2N3019S

Package:TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A TO39

MICROCHIP

微芯科技

JANTX2N3019

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391

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MICROSEMI

美高森美

JANTX2N3019S

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391

文件:71.18 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTXV2N3019

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391

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MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    JANS2N3019S

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/391

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO39

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
N/A
58000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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Microchip Technology
25+
TO-205AD TO-39-3 金属罐
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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JANS2N3421
25+
3
3
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M4S
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1983
只做原装正品
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MICROSEMI
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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Microchip
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原厂原包装
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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MICROSEMI/美国美高森美公司
23+
TO-39
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22+
20000
公司只做原装 品质保障
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MICROSEMI/美高森美
22+
LCC4
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现货,原厂原装假一罚十!
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更多JANS2N3019S供应商 更新时间2026-1-29 11:06:00