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JANS2N3057A	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391 文件：71.18 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JANS2N3057A	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistor This 2N3057A NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications. Microsemi also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.	Microchip 微芯科技	Microchip
JANS2N3057A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-206AB，TO-46-3 金属罐；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A TO46	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
JANTX2N3057A	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391 文件：71.18 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JANTXV2N3057A	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391 文件：71.18 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

产品属性

产品编号：
JANS2N3057A
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/391
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AB，TO-46-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-46（TO-206AB）
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO46

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