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JANS2N3700UB

Low Power NPN Silicon Transistor

• Surface mount equivalent to JEDEC registered 2N3700 number. • JAN, JANTX, JANTXV and JANS qualifications are available per MIL-PRF-19500/391. • Rad hard levels are also available per MIL-PRF-19500/391. (See RHA datasheet for JANS_2N3700UB.) • RoHS compliant versions available (commercial gra

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MICROSEMI

美高森美

JANS2N3700UB

NPN Silicon Low-Power 80V, 1A , Surface mount

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, low-power 2N3019, 2N3057A and 2N3700 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/391. Two levels of product assurance (JANHC and JA

Microchip

微芯科技

JANS2N3700UB

Package:4-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A UB

MICROCHIP

微芯科技

JANS2N3700UB/TR

Package:4-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A UB

MICROCHIP

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    JANS2N3700UB

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/391

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    UB

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A UB

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MICROSEMI
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更多JANS2N3700UB供应商 更新时间2026-1-26 16:08:00