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JAN1N6630U数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
JAN1N6630U规格书详情
描述 Description
900 VOLT, 2.8 AMP, 50 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-B PACKAGE.
Electrical Characteristics : (All parameters are at Tc = 25°C unless otherwise specified)RATINGSYMBOLMAXUNITSPeak Inverse VoltagePIV900VoltsMaximum Forward Voltage @TA = 25°C Vf1.7 @ 3VoltsMaximum DC Output Current (TC = 100°C)Io2.8AmpsPeak Single Cycle Surge Current tp = 8.3 msecIFSM75AmpsMaximum Reverse Recovery Time (see datasheet for conditions)Trr50nsecMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 25°CIrr2µAMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 125°CIrrmAMaximum Thermal ResistanceRθJC22°C/WMaximum Operating And Storage Temperature RangeTop/stg-65 to +175°CMechanical Outline:MELF-B--> Request QuoteDisclaimer
技术参数
- 产品编号：
JAN1N6630U
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/590
- 包装：
散装
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1.4A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SQ-MELF，E
- 供应商器件封装：
D-5B
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Microsemi Corporation |
25+ |
D-5B |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
SEMTECH |
1706+ |
.3AULTRAFAST115V |
5800 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Microchip |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Microsemi |
1941+ |
N/A |
909 |
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询价 | ||
Microsemi |
22+ |
NA |
909 |
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询价 | ||
SEMTECH |
24+ |
con |
2500 |
优势库存,原装正品 |
询价 | ||
MICROSEMI |
1809+ |
D-5B |
326 |
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询价 |
