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JAN1N6625US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
JAN1N6625US规格书详情
描述 Description
1000 VOLT,AMP, 60 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE.
Electrical Characteristics : (All parameters are at Tc = 25°C unless otherwise specified)RATINGSYMBOLMAXUNITSPeak Inverse VoltagePIV1000VoltsMaximum Forward Voltage @TA = 25°C Vf1.95 @ 1.5VoltsMaximum DC Output Current (TC = 100°C)IoAmpsPeak Single Cycle Surge Current tp = 8.3 msecIFSM15AmpsMaximum Reverse Recovery Time (see datasheet for conditions)Trr60nsecMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 25°CIrr1µAMaximum Reverse Current Irr@PIV@TA = 125°CIrrmAMaximum Thermal ResistanceRθJC20°C/WMaximum Operating And Storage Temperature RangeTop/stg-65 to +175°CMechanical Outline:MELF-A--> Request QuoteDisclaimer
技术参数
- 产品编号：
JAN1N6625US
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/585
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
10pF @ 10V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SQ-MELF，A
- 供应商器件封装：
D-5A
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
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D5B |
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MICROSEMI/美高森美 |
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D5B |
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MICROSEMI |
23+ |
D5B |
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只做原装现货 |
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MICROSEMI/美高森美 |
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MICROSEMI/美高森美 |
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D5B |
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Microsemi/美高森美 |
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SQ-MELF |
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进口原盘环保现货 |
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Microsemi |
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MICROSEMI |
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原装正品 |
询价 | ||||
MICROSEMI/美高森美 |
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D5B |
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