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JAN1N6625US中文资料Diode and Rectifier Devices数据手册Microchip规格书

厂商型号 |
JAN1N6625US |
参数属性 | JAN1N6625US 封装/外壳为SQ-MELF,A;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A |
功能描述 | Diode and Rectifier Devices |
封装外壳 | SQ-MELF,A |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 10:31:00 |
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JAN1N6625US规格书详情
描述 Description
This “Ultrafast Recovery” rectifier diode series is military qualified to MIL-PRF-19500/585 and is ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. These industry-recognized 1.5 to 2.0 Amp rated rectifiers for working peak reverse voltages from 200 to 1000 volts are hermetically sealed with voidless-glass construction using an internal “Category I” metallurgical bond. These devices are also available in axial-leaded packages for thru-hole mounting (see separate data sheet for 1N6620 thru 1N6625). Microsemi also offers numerous other rectifier products to meet higher and lower current ratings with various recovery time speed requirements including standard, fast and ultrafast device types in both through-hole and surface mount packages.
简介
JAN1N6625US属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的JAN1N6625US二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 产品编号:
JAN1N6625US
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/585
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
1A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
10pF @ 10V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SQ-MELF,A
- 供应商器件封装:
D-5A
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi/美高森美 |
09+ |
SQ-MELF |
27066 |
进口原盘环保现货 |
询价 | ||
Microsemi |
1941+ |
N/A |
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Microsemi |
22+ |
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询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
D5B |
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MICROSEMI/美高森美 |
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Microsemi |
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MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
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Microchip Technology |
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MICROSEMI |
23+ |
D5B |
7000 |
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