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TJ11A10M3	文件：239.01 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=100mΩ(typ.)(VGS=-10V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10µA(max)(VDS=-100V) (3)Enhancementmode:Vth=-2.0to-4.0V(VDS=-10V,ID=-1mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TJ11A10M3	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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文件：239.01 Kbytes

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MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOS??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=100mΩ(typ.)(VGS=-10V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10µA(max)(VDS=-100V) (3)Enhancementmode:Vth=-2.0to-4.0V(VDS=-10V,ID=-1mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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更多J11A10M3MOS(场效应管)供应商更新时间2024-5-13 15:24:00

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