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IXYK200N65B3

IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)= 1.7V@IC= 100A · Tight Parameter Distribution · High Input Impedance APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Automotive Chargers · UPS,PFC · Motor Drives

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ISC

无锡固电

IXYK200N65B3

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IXYS

艾赛斯

IXYK200N65B3

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IXYS

艾赛斯

IXYK200N65B3

XPT™ Planar IGBT

: • 针对中高开关频率进行了优化\n• 短路功能\n• 国际标准封装;

Littelfuse

力特

IXYK200N65B3

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXYK200N65B3

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    XPT™, GenX3™

  • 包装:

    托盘

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,100A

  • 开关能量:

    5mJ(开),4mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/370ns

  • 测试条件:

    400V,100A,0 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264

  • 描述:

    IGBT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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更多IXYK200N65B3供应商 更新时间2026-2-5 15:01:00