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IXYK100N65B3D1	文件：227.3 Kbytes Page：7 Pages	Advance Technical Information 文件：227.3 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXYK100N65B3D1	文件：227.3 Kbytes Page：7 Pages	International Standard Packages 文件：227.3 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXYK100N65B3D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	XPT™ Planar IGBT : • 针对中高开关频率进行了优化\n• 短路功能\n• 国际标准封装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXYK100N65B3D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXYK100N65B3D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
XPT™, GenX3™
包装：
托盘
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，70A
开关能量：
1.27mJ（开），2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
29ns/150ns
测试条件：
400V，50A，3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264
描述：
IGBT

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