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IXXX110N65B4H1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXXX110N65B4H1

参数属性

IXXX110N65B4H1 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 650V 240A 880W PLUS247

功能描述

XPT™ 沟槽 IGBT

封装外壳

TO-247-3 变式

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:06:00

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IXXX110N65B4H1规格书详情

特性 Features

• 低Vcesat、低Eon/Eoff
• 针对10kHz至60kHz的中高开关频率进行了优化
• 高浪涌电流能力和短路能力
• 方形反向偏压安全工作区 (RBSOA)
• 正热系数Vcesat

应用 Application

• 电池充电器
• 灯镇流器
• 电机驱动器
• 电源逆变器
• 焊接机械

技术参数

  • 制造商编号

    :IXXX110N65B4H1

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :250

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :2.1

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :43

  • Configuration

    :Copack (Sonic-FRD)

  • Package Type

    :TO-247 PLUS

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.17

  • Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)

    :2.16

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :110

  • Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)

    :0.38

  • Forward Current @ 110 ℃ (A)

    :78

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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