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IXXN110N65B4H1数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

IXXN110N65B4H1

参数属性

IXXN110N65B4H1 封装/外壳为SOT-227-4,miniBLOC;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B

功能描述

XPT™ 沟槽 IGBT

封装外壳

SOT-227-4,miniBLOC

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 10:19:00

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IXXN110N65B4H1规格书详情

特性 Features

• 低Vcesat、低Eon/Eoff
• 针对10kHz至60kHz的中高开关频率进行了优化
• 高浪涌电流能力和短路能力
• 方形反向偏压安全工作区 (RBSOA)
• 正热系数Vcesat

应用 Application

• 电池充电器
• 灯镇流器
• 电机驱动器
• 电源逆变器
• 焊接机械

技术参数

  • 制造商编号

    :IXXN110N65B4H1

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :230

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :2.1

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :43

  • Configuration

    :Copack (Sonic-FRD)

  • Package Type

    :SOT-227U

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.2

  • Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)

    :2.16

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :110

  • Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)

    :0.42

  • Forward Current @ 110 ℃ (A)

    :70

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