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IXXN110N65C4H1中文资料XPT™ 沟槽 IGBT数据手册Littelfuse规格书
IXXN110N65C4H1规格书详情
特性 Features
• 低Vcesat、低Eon/Eoff
• 针对10kHz至60kHz的中高开关频率进行了优化
• 高浪涌电流能力和短路能力
• 方形反向偏压安全工作区 (RBSOA)
• 正热系数Vcesat
应用 Application
• 电池充电器
• 灯镇流器
• 电机驱动器
• 电源逆变器
• 焊接机械
技术参数
- 制造商编号
:IXXN110N65C4H1
- 生产厂家
:Littelfuse
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
:210
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
:2.35
- Fall Time [Inductive Load] (ns)
:35
- Configuration
:Copack (Sonic-FRD)
- Package Type
:SOT-227U
- Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)
:0.2
- Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)
:0.77
- Collector Current @ 110 ℃ (A)
:110
- Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)
:0.42
- Forward Current @ 110 ℃ (A)
:70
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
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73000 |
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IXYS |
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IXYS |
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IXYS |
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SOT227B |
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询价 | ||
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23+ |
标准封装 |
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IXYS |
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SOT-227B |
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IXYS |
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SOT-227B |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
询价 |