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IXXN110N65C4H1数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

厂商型号 |
IXXN110N65C4H1 |
参数属性 | IXXN110N65C4H1 封装/外壳为SOT-227-4,miniBLOC;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B |
功能描述 | XPT™ 沟槽 IGBT |
封装外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
制造商 | Littelfuse littelfuse |
中文名称 | 力特 力特公司 |
原厂标识 | Littelfuse |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 14:30:00 |
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IXXN110N65C4H1规格书详情
特性 Features
• 低Vcesat、低Eon/Eoff
• 针对10kHz至60kHz的中高开关频率进行了优化
• 高浪涌电流能力和短路能力
• 方形反向偏压安全工作区 (RBSOA)
• 正热系数Vcesat
应用 Application
• 电池充电器
• 灯镇流器
• 电机驱动器
• 电源逆变器
• 焊接机械
技术参数
- 制造商编号
:IXXN110N65C4H1
- 生产厂家
:Littelfuse
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
:210
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
:2.35
- Fall Time [Inductive Load] (ns)
:35
- Configuration
:Copack (Sonic-FRD)
- Package Type
:SOT-227U
- Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)
:0.2
- Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)
:0.77
- Collector Current @ 110 ℃ (A)
:110
- Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)
:0.42
- Forward Current @ 110 ℃ (A)
:70
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
Module |
1262 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
SOT227B |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
1926+ |
MODULE |
585 |
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询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS/艾赛斯 |
19+ |
MODULE |
1290 |
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IXYS/艾赛斯 |
2324+ |
SOT-227-4,miniBLOC |
78920 |
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IXYS |
2405+ |
原厂封装 |
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IXFN |
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标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2023+ |
MODULE |
52 |
主打螺丝模块系列 |
询价 |