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IXXR110N65B4H1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IXXR110N65B4H1 |
| 参数属性 | IXXR110N65B4H1 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247 |
| 功能描述 | XPT™ 沟槽 IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Littelfuse littelfuse |
| 中文名称 | 力特 力特公司 |
| 原厂标识 | Littelfuse |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 10:19:00 |
| 人工找货 | IXXR110N65B4H1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXXR110N65B4H1规格书详情
特性 Features
• 低Vcesat、低Eon/Eoff
• 针对10kHz至60kHz的中高开关频率进行了优化
• 高浪涌电流能力和短路能力
• 方形反向偏压安全工作区 (RBSOA)
• 正热系数Vcesat
应用 Application
• 电池充电器
• 灯镇流器
• 电机驱动器
• 电源逆变器
• 焊接机械
技术参数
- 制造商编号
：IXXR110N65B4H1
- 生产厂家
：Littelfuse
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
：150
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
：2.1
- Fall Time [Inductive Load] (ns)
：43
- Configuration
：Copack (Sonic-FRD)
- Package Type
：TO-247IU
- Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)
：0.33
- Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)
：2.16
- Collector Current @ 110 ℃ (A)
：70
- Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)
：0.7
- Forward Current @ 110 ℃ (A)
：48
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