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IXXR110N65B4H1	文件：240.83 Kbytes Page：7 Pages	XPTTM 650V GenX4TM Features •SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate •IsolatedMountingSurface •2500V~ElectricalIsolation •Optimizedfor10-30kHzSwitching •SquareRBSOA •ShortCircuitCapability •Anti-ParallelSonicDiode •HighCurrentHandlingCapability Applications •PowerInverte	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXR110N65B4H1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXK110N65B4H1	文件：267.32 Kbytes Page：7 Pages	XPTTM650VGenX4TM ExtremeLightPunchThroughIGBTfor10-30kHzSwitching Features ●Optimizedfor10-30kHzSwitching ●SquareRBSOA ●ShortCircuitCapability ●Anti-ParallelSonicDiode ●HighCurrentHandlingCapability ●InternationalStandardPackages Advantages ●HighPowerDensity ●LowGateDrive	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXN110N65B4H1	文件：223.2 Kbytes Page：7 Pages	XPTTM650VGenX4TM XPT™650VGenX4™w/SonicDiode ExtremeLightPunchThroughIGBTfor10-30kHzSwitching Features •InternationalStandardPackage •miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation •2500V~IsolationVoltage •Anti-ParallelSonicDiode •Optimizedfor10-30kHzSwitching •SquareRBSOA •ShortC	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXXX110N65B4H1	文件：376.5 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=110A ·FastSwitching ·HighRuggedness ·EnhancedAvalancheCapability APPLICATIONS ·Converterwithhighswitchingfrequency ·WeldingConverters ·UPS,PFC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXXX110N65B4H1	文件：267.32 Kbytes Page：7 Pages	XPTTM650VGenX4TM ExtremeLightPunchThroughIGBTfor10-30kHzSwitching Features ●Optimizedfor10-30kHzSwitching ●SquareRBSOA ●ShortCircuitCapability ●Anti-ParallelSonicDiode ●HighCurrentHandlingCapability ●InternationalStandardPackages Advantages ●HighPowerDensity ●LowGateDrive	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

产品编号：
IXXR110N65B4H1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX4™, XPT™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，110A
开关能量：
2.2mJ（开），1.05mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
38ns/156ns
测试条件：
400V，55A，2 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
ISOPLUS247™
描述：
IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247

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