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IXXA50N60B3

XPTTM 600V IGBTs

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IXYS

艾赛斯

IXXA50N60B3

XPTTM 600V IGBTs

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IXYS

艾赛斯

IXXA50N60B3

XPT™ Planar IGBT

: • 针对中高开关频率进行了优化\n• 方形RBSOA\n• 短路功能\n• 超快反并联二极管\n• 国际标准封装;

Littelfuse

力特

IXXH50N60B3

XPTTM 600V IGBTs

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IXYS

艾赛斯

IXXH50N60B3

XPTTM 600V IGBTs

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IXYS

艾赛斯

IXXP50N60B3

XPTTM 600V IGBTs

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IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Collector Current @ 25 ℃ (A):

    120

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

    1.8

  • Fall Time [Inductive Load] (ns):

    135

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-263

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W):

    0.25

  • Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ):

    1.2

  • Collector Current @ 110 ℃ (A):

    50

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
2022+
TO-263
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TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片
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IXYS/艾赛斯
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TO-247
10000
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更多IXXA50N60B3供应商 更新时间2026-2-1 15:01:00