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IXFV52N30P	文件：190.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTPowerMOSFETHiPerFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •Fastrecoverydiode •Avalancherated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTQ52N30P	文件：301.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainSourceVoltage-:VDSS=300V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=66mΩ(Max) •FastSwitching •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switch-ModeandResonant-ModePowerS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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