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MSU5N60	文件：625.66 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTN5N60FP	文件：331.97 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP5N60	文件：118.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
NJ5N60	文件：673.48 Kbytes Page：6 Pages	5.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NTP5N60	文件：129.13 Kbytes Page：3 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
P5N60	文件：1.08652 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P5N60FI	文件：337.13 Kbytes Page：7 Pages	N-Channelenhancementmodepowermostransistor N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.33Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PJF5N60	文件：193.83 Kbytes Page：5 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •5A,600V,RDS(ON)=2.1Ω@VGS=10V,ID=2.5A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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RD5N60	文件：304.45 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252Package	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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详细参数

型号：
IXTP5N60P
功能描述：
MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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