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MDF12N50BTH	文件：322.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF12N50F	文件：1.38988 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.75ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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MDF12N50TH	文件：322.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP12N50	文件：772.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50B	文件：1.15511 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

详细参数

型号：
IXTI12N50P
功能描述：
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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