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IXTH12N100L中文资料PDF规格书
IXTH12N100L规格书详情
·FEATURES
·Drain Source Voltage-
: VDSS=1000V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) =1.3Ω(Max)
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
产品属性
- 型号：
IXTH12N100L
- 功能描述：
MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
21+ |
TO2473 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2022 |
TO-247 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247(IXTH) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
18+ |
NA |
3356 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ROHS |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
TO-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
2368 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
12800 |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
询价 |
