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SIHB8N50D	文件：155.11 Kbytes Page：7 Pages	LowAreaSpecificOn-Resistance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB8N50D	文件：155.83 Kbytes Page：7 Pages	DSeriesPowerMOSFET FEATURES •OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) •OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF8N50D	文件：178.54 Kbytes Page：9 Pages	DSeriesPowerMOSFET FEATURES •Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) •Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry -Lowfigure-of-merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SIHF8N50D	文件：174.16 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF8N50L	文件：158.02 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF8N50L	文件：319.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHF8N50L	文件：167.12 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-meritRonxQg •100avalanchetested •Gatechargeimproved •trr/Qrrimproved •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoHS-compliantand/or	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.8
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
8
Gate Charge (nC)：
20
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.83
Configuration：
Single
Package Type：
TO-263
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
400
Power Dissipation (W)：
150
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes
Replaced By Part Number：
IXTA8N65X2

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