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JCS7N60F	文件：819.1 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N60FA	文件：1.65891 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS 1.Highefficiencyswitchmodepowersupplies 2.Electroniclampballastsbasedonhalfbridge 3.UPS FEATURES 1.Lowgatecharge 2.LowCrss(typical21pF) 3.Fastswitching 4.100avalanchetested 5.Improveddv/dtcapability 6.RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N60FA-O-F-N-B	文件：1.65891 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS 1.Highefficiencyswitchmodepowersupplies 2.Electroniclampballastsbasedonhalfbridge 3.UPS FEATURES 1.Lowgatecharge 2.LowCrss(typical21pF) 3.Fastswitching 4.100avalanchetested 5.Improveddv/dtcapability 6.RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N60F-O-F-N-B	文件：819.1 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N60S-O-S-N-B	文件：819.1 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
KF7N60F	文件：96.77 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactor correctionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N60P	文件：96.77 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactor correctionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N60P	文件：1.05213 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledriverequirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dtruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltageandcurrent APPLICATIONS •Switchmodepowersupply(SMPS) •Uninterruptiblepowersupply •Highspeedpowerswit	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KSM7N60	文件：1.67461 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM7N60NZ	文件：2.12042 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelUniFETllMOSFET600V,6.5A,1.25	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
IXTA7N60P
功能描述：
MOSFET 7 Amps 600V 1.1 Ohms Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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