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MTP1N80E	文件：301.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP1N80E	文件：221.1 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=12OHMS TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
PJP1N80	文件：227.44 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •1A,800V,RDS(ON)=16Ω@VGS=10V,ID=0.5A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJU1N80	文件：227.44 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •1A,800V,RDS(ON)=16Ω@VGS=10V,ID=0.5A •LowONResistance •FastSwitching •LowGateCharge •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS •IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SSF1N80D	文件：403.81 Kbytes Page：7 Pages	MainProductCharacteristics	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SW1N80A	文件：715.26 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWC1N80A	文件：715.26 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TSM1N80	文件：250.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N80	文件：303.86 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheTSM1N80isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesig	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N80CWRP	文件：303.86 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheTSM1N80isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesig	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市星辰微电科技有限公司	IXTA1N80P	IXYS(艾赛斯)	23+	N/A	7500	IXYS(艾赛斯)全系列在售	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	IXTA1N80P	IXYS/艾赛斯	23+	TO-263	32189	原装正品华强现货	询价
深圳市华来深电子有限公司	IXTA1R4N100P	IXYS	23+	TO-263-3	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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