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IXSK80N60B分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXSK80N60B
厂商型号

IXSK80N60B

参数属性

IXSK80N60B 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 160A 500W TO264

功能描述

High Current IGBT Short Circuit SOA Capability
IGBT 600V 160A 500W TO264

文件大小

46.76 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-25 17:33:00

IXSK80N60B规格书详情

Features

• International standard packages

• Very high current, fast switching IGBT

• Low VCE(sat)

- for minimum on-state conduction losses

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

• PLUS 247TM package for clip or spring mounting

• Space savings

• High power density

IXSK80N60B属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Corporation制造生产的IXSK80N60B晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXSK80N60B

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,80A

  • 开关能量:

    4.2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/140ns

  • 测试条件:

    480V,80A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264AA(IXSK)

  • 描述:

    IGBT 600V 160A 500W TO264

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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