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IXSH35N120A分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXSH35N120A
厂商型号

IXSH35N120A

参数属性

IXSH35N120A 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 70A 300W TO247

功能描述

High Voltage, High speed IGBT
IGBT 1200V 70A 300W TO247

文件大小

64.489 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-27 13:40:00

IXSH35N120A规格书详情

Short Circuit SOA Capability

Features

● International standard package

JEDEC TO-247

● High frequency IGBT with guaranteed

Short Circuit SOA capability

● Fast Fall Time for switching speeds

up to 20 kHz

● 2nd generation HDMOSTM process

● Low VCE(sat)

- for minimum on-state conduction losses

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drive

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

● Welding

Advantages

● Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

● High power density

IXSH35N120A属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Corporation制造生产的IXSH35N120A晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXSH35N120A

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    10mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    80ns/400ns

  • 测试条件:

    960V,35A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 70A 300W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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