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IXSH35N100A分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IXSH35N100A

参数属性

IXSH35N100A 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1000V 70A 300W TO247AD

功能描述

High speed IGBT
IGBT 1000V 70A 300W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

文件大小

80.13 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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IXSH35N100A规格书详情

IXSH35N100A属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXSH35N100A晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

High speed IGBT

Short Circuit SOA Capability

特性 Features

● International standard packages

● Guaranteed Short Circuit SOA capability

● Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

● High current handling capability

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

● Fast Fall Time for switching speeds up to 20 kHz

Applications

● AC motor speed control

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Welding

Advantages

● Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

● High power density

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXSH35N100A

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    10mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    80ns/400ns

  • 测试条件:

    800V,35A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1000V 70A 300W TO247AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
5540
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TO-247
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TO247AD (IXSH)
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原厂渠道,现货配单
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IXYS/艾赛斯
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24+
TO-247
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IXYS
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TO-247AD(IXSH)
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IXYS
23+
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