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|---|---|---|---|---|
IXKC25N80C | N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface Features • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - high power dissipation - isolated mounting surface - 2500 V electrical isolation • 3rd generation CoolMOS™ 1) power MOSFET - high 文件：119.19 Kbytes 页数：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXKC25N80C | N通道超级结MOSFET • 硅片固定在直接敷铜基板上\n•增强的总功率密度\n•低热阻\n; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
CoolMOS Power MOSFET ISO264 文件：500 Kbytes 页数：2 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
Advanced Technical Information CoolMOS Power MOSFETin ISOPLUS247 Package 文件：116.82 Kbytes 页数：2 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
技术参数
- Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.15
- Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
25
- Gate Charge (nC)：
180
- Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.5
- Configuration：
Single
- Package Type：
ISOPLUS220™
- Typical Reverse Recovery Time (ns)：
550
- Power Dissipation (W)：
140
- Isolated Tab RMS Voltage (V)：
2500
- Sample Request：
No
- Check Stock：
Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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IXYS |
25+ |
TO-220 |
326 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS220? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS22 |
5000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
ISOPLUS220? |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
ISOPLUS220 |
213 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
ISOPLUS22 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS220 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
询价 |
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