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IXGY2N120分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGY2N120
厂商型号

IXGY2N120

参数属性

IXGY2N120 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 5A 25W TO252AA

功能描述

High Voltage IGBT
IGBT 1200V 5A 25W TO252AA

文件大小

134.12 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-27 16:04:00

IXGY2N120规格书详情

IXGY2N120属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Corporation制造生产的IXGY2N120晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGY2N120

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    4.5V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/300ns

  • 测试条件:

    960V,2A,150 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 5A 25W TO252AA

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