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IXGX50N60BD1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGX50N60BD1
厂商型号

IXGX50N60BD1

参数属性

IXGX50N60BD1 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 75A 300W TO247

功能描述

HiPerFAST IGBT with Diode
IGBT 600V 75A 300W TO247

封装外壳

TO-247-3 变式

文件大小

125.76 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 22:58:00

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IXGX50N60BD1规格书详情

IXGX50N60BD1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGX50N60BD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

• International standard packages JEDEC TO-268 and PLUS247 (hole less TO-247)

• High frequency IGBT and antparallel FRED in one package

• New generation HDMOSTM process

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on fordrive simplicity

• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) with soft recovery and low IRM

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

• Space savings (two devices on one package

• Easy to mount with 1 screw

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGX50N60BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    1.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    50ns/200ns

  • 测试条件:

    480V,50A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 供应商器件封装:

    PLUS247™-3

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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