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IXGX55N120A3H1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
IXGX55N120A3H1 |
参数属性 | IXGX55N120A3H1 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 125A 460W PLUS247 |
功能描述 | GenX3 1200V IGBTs w/ Diode |
封装外壳 | TO-247-3 变式 |
文件大小 |
128.34 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 9:32:00 |
人工找货 | IXGX55N120A3H1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IXGX55N120A3H1规格书详情
IXGX55N120A3H1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGX55N120A3H1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching
特性 Features
• Optimized for Low Conduction Losses
• Anti-Parallel Ultra Fast Diode
Advantages
• High Power Density
• Low Gate Drive Requirement
Applications
• Power Inverters
• UPS
• Motor Drives
• SMPS
• PFC Circuits
• Battery Chargers
• Welding Machines
• Lamp Ballasts
• Inrush Current Protection Circuits
产品属性
更多- 产品编号:
IXGX55N120A3H1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™
- 包装:
托盘
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,55A
- 开关能量:
5.1mJ(开),13.3mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
23ns/365ns
- 测试条件:
960V,55A,3 欧姆,15V
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3 变式
- 供应商器件封装:
PLUS247™-3
- 描述:
IGBT 1200V 125A 460W PLUS247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
PLUS247?3 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
PLUS-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
PLUS247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2023+ |
TO247 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO247 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
75000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO247 |
16161 |
原装正品现货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
65200 |
询价 |