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IXGX55N120A3H1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGX55N120A3H1
厂商型号

IXGX55N120A3H1

参数属性

IXGX55N120A3H1 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 125A 460W PLUS247

功能描述

GenX3 1200V IGBTs w/ Diode
IGBT 1200V 125A 460W PLUS247

封装外壳

TO-247-3 变式

文件大小

128.34 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-5 9:32:00

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IXGX55N120A3H1规格书详情

IXGX55N120A3H1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGX55N120A3H1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching

特性 Features

• Optimized for Low Conduction Losses

• Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Advantages

• High Power Density

• Low Gate Drive Requirement

Applications

• Power Inverters

• UPS

• Motor Drives

• SMPS

• PFC Circuits

• Battery Chargers

• Welding Machines

• Lamp Ballasts

• Inrush Current Protection Circuits

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGX55N120A3H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,55A

  • 开关能量:

    5.1mJ(开),13.3mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/365ns

  • 测试条件:

    960V,55A,3 欧姆,15V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 供应商器件封装:

    PLUS247™-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 125A 460W PLUS247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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