首页>IXGX64N60B3D1>规格书详情

IXGX64N60B3D1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGX64N60B3D1
厂商型号

IXGX64N60B3D1

参数属性

IXGX64N60B3D1 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 460W PLUS247

功能描述

GenX3 600V IGBT with Diode
IGBT 600V 460W PLUS247

文件大小

188.34 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-23 16:20:00

IXGX64N60B3D1规格书详情

Medium speed low Vsat PT

IGBTs 5-40 kHz switching

Features

• Optimized for low conduction and

switching losses

• Square RBSOA

• Anti-parallel ultra fast diode

• International standard packages

Advantages

• High power density

• Low gate drive requirement

Applications

• Power Inverters

• UPS

• Motor Drives

• SMPS

• PFC Circuits

• Battery Chargers

• Welding Machines

• Lamp Ballasts

IXGX64N60B3D1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGX64N60B3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXGX64N60B3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    1.5mJ(开),1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/138ns

  • 测试条件:

    480V,50A,3 欧姆,15V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 供应商器件封装:

    PLUS247™-3

  • 描述:

    IGBT 600V 460W PLUS247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
TO247
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-247-3
2368
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
IXYS
21+
PLUS247?3
13880
公司只售原装,支持实单
询价
IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原厂渠道,现货配单
询价
IXYS
23+
PLUS-247
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
询价
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS-247
6000
原装正品,支持实单
询价
IXYS
2022+
PLUS247?-3
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
IXYS/艾赛斯
22+
PLUS-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS-247
10000
公司只做原装正品
询价
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
询价