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IXGX60N60C2D1	文件：620.36 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTM IGBT with Diode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGX60N60C2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3 变式；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 480W PLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGK60N60C2D1	文件：620.36 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTwithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGN60N60C2D1	文件：156.6 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTswithDiode HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR60N60C2D1	文件：612.54 Kbytes Page：6 Pages	Lightspeed2TMSeries(ElectricallyIsolatedBackSurface) Features •DCBIsolatedmountingtab •MeetsTO-247ADpackageOutline •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-modep	IXYS IXYS Corporation	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGX60N60C2D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，50A
开关能量：
400µJ（开），480µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/95ns
测试条件：
400V，50A，2 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
供应商器件封装：
PLUS247™-3
描述：
IGBT 600V 75A 480W PLUS247

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