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IXGX50N60C2D1	文件：628.74 Kbytes Page：6 Pages	HiPerFAST IGBT with Diode HiPerFASTTMIGBTwithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandl	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGX50N60C2D1	文件：386.4 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Highspeedswitching ·Highersystemefficiency ·Softcurrentturn-offwaveforms APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·HighPowerDensity ·LowGateDriveRequirement	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXGX50N60C2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3 变式；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 480W TO247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGK50N60C2D1	文件：628.74 Kbytes Page：6 Pages	HiPerFASTIGBTwithDiode HiPerFASTTMIGBTwithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandl	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR50N60C2D1	文件：511.04 Kbytes Page：6 Pages	HiPerFASTIGBTwithDiodeC2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBTandanti-parallelFREDinonepackage •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-modeandresonant-modepowersuppli	IXYS IXYS Corporation	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGX50N60C2D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，40A
开关能量：
380µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/115ns
测试条件：
480V，40A，2 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
供应商器件封装：
PLUS247™-3
描述：
IGBT 600V 75A 480W TO247

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