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IXGT64N60A3	文件：200.63 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil 文件：200.63 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT64N60A3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT64N60A3	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 低频IGBT	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGH64N60A3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH64N60A3	文件：200.63 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil 文件：200.63 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGR64N60A3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：
1.35
Fall Time [Inductive Load] (ns)：
222
Configuration：
Single
Package Type：
TO-268
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)：
0.27
Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)：
6
Collector Current @ 110 ℃ (A)：
64
Obsolete Date：
01/11/2019

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深圳市星辰微电科技有限公司	IXGT64N60A3	IXYS(艾赛斯)	25+	N/A	7500	IXYS(艾赛斯)全系列在售	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IXGT64N60B3	IXYS	25+	TO-268-3 D?Pak(2 引线 + 接片	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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