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IXGT20N100

IGBT

Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC choppers • Uninterruptible power supplies (UPS) • S

文件:56.89 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGT20N100

PT 低频IGBT

Littelfuse

力特

IXGT20N100

Package:TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1000V 40A 150W TO268

IXYS

艾赛斯

BW-20N100W

N-Type Fixed Attenuator

文件:191.99 Kbytes 页数:2 Pages

MINI

IXFH20N100P

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件:124.29 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFH20N100P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.57Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

文件:336.88 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

产品属性

  • 产品编号:

    IXGT20N100

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    3.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/350ns

  • 测试条件:

    800V,20A,47 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

  • 供应商器件封装:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 1000V 40A 150W TO268

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXGT20N100供应商 更新时间2026-2-9 15:30:00