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IXGR60N60C3D1

PT 高频IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

IXGR60N60C3D1

High Speed PT IGBT for 40-100 kHz Switching

文件:221.75 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGR60N60C3D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247

IXYS

艾赛斯

IXGT60N60C3D1

GenX3 600V IGBTs with Diode

High Speed PT IGBTs for 40-100kHz switching Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • High Avalanche Capability • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • International Standard Packages Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • High Freque

文件:243.8 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGR60N60C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    800µJ(开),450µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    21ns/70ns

  • 测试条件:

    480V,40A,3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS247™

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247

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更多IXGR60N60C3D1供应商 更新时间2025-10-8 10:19:00