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IXGR60N60C3D1	文件：221.75 Kbytes Page：7 Pages	High Speed PT IGBT for 40-100 kHz Switching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR60N60C3D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH60N60C3D1	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH60N60C3D1	文件：243.8 Kbytes Page：7 Pages	GenX3600VIGBTswithDiode HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features •OptimizedforLowSwitchingLosses •SquareRBSOA •HighAvalancheCapability •Anti-ParallelUltraFastDiode •InternationalStandardPackages Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequirement Applications •HighFreque	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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产品属性

产品编号：
IXGR60N60C3D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，40A
开关能量：
800µJ（开），450µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/70ns
测试条件：
480V，40A，3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
ISOPLUS247™
描述：
IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247

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