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IXGH60N60B2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXGH60N60B2规格书详情
特性 Features
·VCES: 300V to 1200V
·IC(90): 2A to 200A
·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2
and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz
C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)
C3-300 V IGBT, High Speed PT for 50kHz-150kHz switching·Available with or without ultrafast diode in parallel
技术参数
- 产品编号：
IXGH60N60B2
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
HiPerFAST™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，50A
- 开关能量：
1mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/160ns
- 测试条件：
400V，50A，3.3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 75A 500W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-247 |
7500 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
1922+ |
TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-247 |
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IXYS |
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TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-247 |
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IXYS |
23+ |
TO-247全新 |
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询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
询价 |
