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IXGH60N30C3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXGH60N30C3规格书详情
特性 Features
• 高电流处理能力
• 国际标准包装
• 针对低导通和开关损耗进行了优化
• 超快反并联二极管（可选）
• 雪崩评级
• 方形RBSOA
• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择
• MOS栅极开启简单便捷
• 高频IGBT
应用 Application
• 电源逆变器
• UPS
• 电机驱动器
• SMPS
• PFC电路
• 电池充电器
• 焊接机
• 灯镇流器
• 突入电流保护电路
• 直流斩波器
• 感应加热
• 太阳能系统逆变器
• 功率因数校正电路
• 不间断电源设备
• 开关模式电源
• 电机控制（ACAC/DC电机）
• 电容放电开关
技术参数
- 制造商编号
：IXGH60N30C3
- 生产厂家
：Littelfuse
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
：420
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
：1.8
- Fall Time [Inductive Load] (ns)
：68
- Configuration
：Single
- Package Type
：TO-247
- Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)
：0.42
- Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)
：0.3
- Collector Current @ 110 ℃ (A)
：60
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