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IXGH40N60C2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXGH40N60C2规格书详情
特性 Features
·VCES: 300V to 1200V
·IC(90): 2A to 200A
·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2
and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz
C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)
C3-300 V IGBT, High Speed PT for 50kHz-150kHz switching·Available with or without ultrafast diode in parallel
技术参数
- 产品编号:
IXGH40N60C2
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HiPerFAST™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,30A
- 开关能量:
200µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
18ns/90ns
- 测试条件:
400V,30A,3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
23+ |
TO247 |
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