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IXGH48N60A3D1

GenX3 600V IGBT with Diode

Ultra Low Vsat PT IGBT for up to 5kHz switching Features • Optimized for low conduction losses • Square RBSOA • Anti-parallel ultra fast diode • International standard package Advantages • High power density • Low gate drive requirement Applications • Power Inverters • UPS • Motor Dri

文件:169.23 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH48N60A3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

文件:839.36 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH48N60A3D1

PT 低频 IGBT

Littelfuse

力特

IXGH48N60A3D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 300W TO247AD

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH48N60A3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.35V @ 15V,32A

  • 开关能量:

    950µJ(开),2.9mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/334ns

  • 测试条件:

    480V,32A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 300W TO247AD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Littelfuse/IXYS
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更多IXGH48N60A3D1供应商 更新时间2025-11-30 23:00:00