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IXGH16N60C2D1

HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed w/ Diode

HiPerFAST™ IGBTs C2-Class High Speed w/ Diode Features • Optimized for Low Switching Losses • Square RBSOA • Anti-Parallel Ultra Fast Diode • International Standard Packages Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • Power Inverters • UPS • Motor Drives

文件:224.65 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH16N60C2D1

PT 高频 IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

IXGH16N60C2D1

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 40A 150W TO247

IXYS

艾赛斯

IXGP16N60C2

HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed

文件:205.51 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGP16N60C2

HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT

Features ● Very high frequency IGBT ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications ● PFC circuits ● Uninterruptible power supplies (UPS) ● Switched-mode and resonant-mode power supplies ● AC motor speed control ● DC servo and robot drives ●

文件:527.47 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH16N60C2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    160µJ(开),90µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    16ns/75ns

  • 测试条件:

    400V,12A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 150W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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更多IXGH16N60C2D供应商 更新时间2025-11-3 13:30:00