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IXTP7N60P	文件：295.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP7N60PM	文件：296.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •Staticdrain-sourceon-resistance :RDS(on)≤1.1Ω@VGS=10V •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverter •Idealforhigh-frequenc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP7N60PM	文件：117.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Plasticovermoldedtabforelectrical isolation •Internationalstandardpackage •Avanlancherated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings Appli	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS7N60	文件：819.1 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N60B-O-B-N-B	文件：819.1 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N60C-O-C-N-B	文件：819.1 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N60F	文件：819.1 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N60FA	文件：1.65891 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS 1.Highefficiencyswitchmodepowersupplies 2.Electroniclampballastsbasedonhalfbridge 3.UPS FEATURES 1.Lowgatecharge 2.LowCrss(typical21pF) 3.Fastswitching 4.100avalanchetested 5.Improveddv/dtcapability 6.RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N60FA-O-F-N-B	文件：1.65891 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS 1.Highefficiencyswitchmodepowersupplies 2.Electroniclampballastsbasedonhalfbridge 3.UPS FEATURES 1.Lowgatecharge 2.LowCrss(typical21pF) 3.Fastswitching 4.100avalanchetested 5.Improveddv/dtcapability 6.RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N60F-O-F-N-B	文件：819.1 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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产品属性

产品编号：
IXGA7N60C
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™, Lightspeed™
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，7A
开关能量：
70µJ（开），120µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
9ns/65ns
测试条件：
480V，7A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AA
描述：
IGBT 600V 14A 54W TO263

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXGA7N60C供应商更新时间2025-7-25 10:02:00

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