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IXGA48N60B3	文件：228.79 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil 文件：228.79 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGA48N60B3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGA48N60B3	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 中频 IGBT • 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGH48N60B3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH48N60B3	文件：228.79 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil 文件：228.79 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGP48N60B3	文件：228.79 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil 文件：228.79 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Collector Current @ 25 ℃ (A)：
280
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：
1.8
Fall Time [Inductive Load] (ns)：
116
Configuration：
Single
Package Type：
TO-263
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)：
0.42
Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)：
1.3
Collector Current @ 110 ℃ (A)：
48

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