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IXFT7N90Q	文件：55.71 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitch	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT7N90Q	文件：141.1 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SSF7N90A	文件：249.1 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSH7N90A	文件：272.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSH7N90A	文件：246.12 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •LowerLeakageCurrent:25µA(Max.)@VDS=900V •LowerRDS(ON):1.247Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SW7N90	文件：510.23 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN. ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETis	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWF7N90	文件：510.23 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN. ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETis	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TSM7N90	文件：410.78 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM7N90	文件：1.048349 Mbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM7N90CI	文件：410.78 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
IXFT7N90Q
功能描述：
MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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