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IXTP12N50PM	文件：295.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JCS12N50C	文件：1.61003 Mbytes Page：11 Pages	Lowgatecharge	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS12N50CC-O-C-N-B	文件：1.61003 Mbytes Page：11 Pages	Lowgatecharge	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS12N50FC-O-F-N-B	文件：1.61003 Mbytes Page：11 Pages	Lowgatecharge	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS12N50SC-O-S-N-A	文件：1.61003 Mbytes Page：11 Pages	Lowgatecharge	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS12N50SC-O-S-N-B	文件：1.61003 Mbytes Page：11 Pages	Lowgatecharge	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MDF12N50	文件：779.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF12N50B	文件：1.15511 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF12N50BTH	文件：1.15511 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF12N50BTH	文件：322.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IXFT12N50F
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	IXFT12N50F	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXFT12N50F	IXYS	20+	TO-247	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IXFT12N50F	IXYS/艾赛斯	23+	TO-247	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXFT12N50F	IXYS/艾赛斯	22+	TO-247	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多IXFT12N50F供应商更新时间2025-7-25 9:03:00

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