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IXFR26N120

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 550mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:330.04 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXFR26N120P

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件:117.29 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFR26N120P

Power MOSFET

文件:148.4 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFR26N120P_14

Power MOSFET

文件:148.4 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFR26N120P

N通道HiPerFET MOSFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.55

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    15

  • Gate Charge (nC):

    225

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    0.39

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-247I

  • Power Dissipation (W):

    320

  • Maximum Reverse Recovery (ns):

    300

  • Sample Request:

    No

  • Check Stock:

    Yes

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更多IXFR26N120供应商 更新时间2026-1-29 10:19:00