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IXFR21N100	文件：329.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 500mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：329.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFR21N100Q	文件：38.01 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface) 文件：38.01 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFR21N100Q_03	文件：115.25 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 文件：115.25 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFR21N100Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET MOSFET • 国际标准包装\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 适用于非钳位感应开关（UIS）\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.5
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
18
Gate Charge (nC)：
170
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.3
Configuration：
Single
Package Type：
TO-247I
Power Dissipation (W)：
417
Maximum Reverse Recovery (ns)：
250
Sample Request：
No

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