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MS14N60	文件：404.26 Kbytes Page：4 Pages	900VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF14N60	文件：402.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTN14N60FP	文件：345.03 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
SIHA14N60E	文件：320.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHA14N60E	文件：154.76 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHD14N60E	文件：333.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHD14N60E	文件：136.22 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH14N60E	文件：197.55 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Fullylead(Pb)-freedevice •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Kelvinconnectionforreducedgatenoise •Materialcategorization:fordefinit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH14N60E	文件：196.89 Kbytes Page：9 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH14N60EF	文件：192.24 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.54
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
14
Gate Charge (nC)：
25
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.38
Configuration：
Single
Package Type：
TO-220
Power Dissipation (W)：
327
Maximum Reverse Recovery (ns)：
250
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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