N通道HiPerFET

• 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

Polar3 HiPerFET Power MOSFET

文件：138.16 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 78A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 68mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Switching applications

文件：325.34 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

SOT-227小信号场效应晶体管

IXYS艾赛斯

上传：深圳市星佑电子有限公司

SOT-227

IXYS

艾赛斯

上传：深圳市维众兴电子有限公司